亚太地区：三星宣布已量产3纳米芯片

IT之家 6 月 30 日最新消息，LG电子有限该公司周四宣布，该该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 单晶半导体闪存，是在世界上换装 3 单晶闪存的该公司。与以前几代用到 FinFET 的闪存不同，LG用到的 GAA（Gate All Around）电路管理模式，该管理模式大大改善了功率效率。

LG该公司在一份声明中说是，与传统的 5 单晶闪存相对于，新开发设计的第一代 3 单晶工艺可以增高 45% 的功耗，性能提高 23%，并减低 16% 的面积。

LG该公司没有人透漏其不断更新大厂应用的消费者此前，分析家表示，预计LG本身和东亚模拟货币挖矿机闪存设计该公司上海磐矽半导体将沦为最初的消费者之一。

IT之家了解到，宏达电（TSMC）是世界上最先进的大厂闪存制造厂商，依靠着在世界上 54% 的闪存合同生产零售商，洋葱和高通等没有人自己半导体设施的该公司都其消费者。

根据数据提供商 TrendForce 的数据，LG以 16.3% 的零售商份额排名第二，去年该该公司宣布了一项 171 万亿韩元（约 8840.7 亿元）的投资计划案，以在 2030 年之以前超越宏达电沦为在世界上顶级逻辑闪存制造厂商。

“我们将在有零售商竞争力的应用开发设计层面继续鼓励创新，”LG该公司大厂业务主管 Siyoung Choi 说是。

LG重新组建首席高管 Kyung Kye-hyun 今年早些时候说是，其大厂业务将在东亚寻找新的消费者，因为从汽车制造厂商到家电产品制造厂商的该公司都急于尽可能产能，以补救在世界上闪存持续短缺的问题，它预计在东亚将有高的零售商增长。

虽然LG是第一个生产 3 单晶闪存的该公司，但宏达电正计划案在 2025 年构建 2 单晶闪存的批量生产。

分析家说是，LG是内存闪存的零售商领导者，但其在更专业化的大厂业务层面已经被领先者宏达电超越，使其难以跟其零售商竞争。

根据愿景资产证券的数据，LG在 2017 年至 2023 年期间资本支出的复合国民生产总值（CAGR）估计值为 7.9%，而宏达电估计值为 30.4%。

分析家说是，在过去一年将近的整整里，LG与行业领导者零售商竞争的努力也因旧闪存的产量低于预估而受到阻挠。该该公司在 3 月份表示，其经营情况下已显示出逐步改善。阅读概要